據(jù)最新的消息，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷經(jīng)四年自主研發(fā)，成功突破了溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的關(guān)鍵技術(shù)，標(biāo)志著我國(guó)在這一領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了首次重大突破。在這個(gè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的時(shí)代，作為第九屆立創(chuàng)電子設(shè)計(jì)開源大賽的協(xié)辦單位，微碩半導(dǎo)體（WINSOK）推出了SGT工藝新品。
SGT這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變?yōu)楦鼮閴嚎s的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻，減小熱阻。目前微碩半導(dǎo)體（WINSOK）新一代的低、中壓的功率MOSFET，廣泛地采用這種技術(shù)，如：WSD100N06GDN56、WSD40120DN56G、WSF15N10G、WSR170N04G等。
SGT工藝的優(yōu)點(diǎn)
SGT工藝MOSFET和普通溝槽型MOSFET相比，開關(guān)損耗更低，結(jié)電容更小，米勒平臺(tái)窄，內(nèi)阻低。具體而言，SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍，在柵電極下方增加了一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或稱耦合電極；屏蔽電極與源電極相連，即實(shí)現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用，減小了米勒電容，器件的開關(guān)速度得以加快，同時(shí)又實(shí)現(xiàn)了電荷耦合效應(yīng)，減小了漂移區(qū)臨界電場(chǎng)強(qiáng)度，器件的導(dǎo)通電阻得以減小，開關(guān)損耗能夠更低。與普通溝槽型MOSFET相比，SGT MOSFET的內(nèi)阻要低2倍以上。
MOSFET通過(guò)SGT技術(shù)減小場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生電容及導(dǎo)通電阻，從而提升芯片性能，減小芯片面積，與普通的溝槽型MOSFET相比在同一功耗下芯片面積減少超過(guò)４成。SGT技術(shù)獨(dú)特的器件結(jié)構(gòu)和掩膜版圖設(shè)計(jì)提升了產(chǎn)品的耐用度和減少了芯片面積，其獨(dú)特的工藝流程設(shè)計(jì)則減少了工藝步驟和掩膜版的數(shù)量，從而減低了MOSFET的生產(chǎn)成本，使MOSFET產(chǎn)品極具性價(jià)比，更有競(jìng)爭(zhēng)力。
采用SGT技術(shù)制造的MOSFET，與普通的溝槽型MOSFET和平面MOSFET相比，在功率密度上占有很大的優(yōu)勢(shì)。由于SGT MOSFET具有較深的溝槽深度，可以利用更多的晶硅體積來(lái)吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時(shí)可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。
現(xiàn)狀
如今，隨著市場(chǎng)上的高端MOSFET的逐步下沉，以及各大功率半導(dǎo)體廠商向高端產(chǎn)品研發(fā)的邁進(jìn)，SGT MOSFET具有更加廣闊的發(fā)展空間。為了迎接SGT技術(shù)以及更加廣闊的市場(chǎng)，微碩半導(dǎo)體（WINSOK）優(yōu)化了現(xiàn)有的產(chǎn)品線，推出了一系列30V/60V/100V/120V等（TO-252/DNF3x3/DFN5x6/TO-220/TOLL等封裝）低內(nèi)阻、大電流、低功耗MOSFET，可應(yīng)用于電子煙、無(wú)線充、電機(jī)、應(yīng)急電源、無(wú)人機(jī)、醫(yī)療、車充、控制器、數(shù)碼產(chǎn)品、小家電、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。
微碩半導(dǎo)體（WINSOK）后續(xù)將持續(xù)和立創(chuàng)商城深化合作，為客戶提供便捷的采購(gòu)服務(wù)。并通過(guò)立創(chuàng)商城把微碩半導(dǎo)體（WINSOK）最新、最全面的產(chǎn)品信息及時(shí)提供給廣大客戶，讓客戶體驗(yàn)到創(chuàng)新產(chǎn)品和優(yōu)質(zhì)服務(wù)。
